Expertos en nuevos materiales del CSIC han desarrollado fotodetectores semiconductores flexibles de tres átomos de grosor, que se puede doblar, estirar o comprimir. La innovación se enmarca en el desarrollo de un nuevo tipo de electrónica, la deformatrónica, en la que las deformaciones se emplean para modificar no sólo la geometría del dispositivo sino sus propiedades y su funcionamiento.

Investigadores del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid han logrado desarrollar fotodetectores tres átomos de grosor. El nuevo prototipo, basado en disulfuro de molidbeno, se pueden doblar, estirar o comprimir de forma similar a una lámina de goma. Los resultados han sido publicados en la revista Materials Today.

El estudio demuestra que las deformaciones en estos prototipos se pueden emplear para modificar no solo la geometría del dispositivo sino sus propiedades y su funcionamiento.

“Así, al estirar estos fotodetectores se podría aumentar la anchura espectral del detector y su capacidad de respuesta. De la misma manera, al comprimirlos se observa un aumento notable en la velocidad de respuesta”, explica Andrés Castellanos Gómez, del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid.

Operar en condiciones distintas
De este modo, el mismo fotodetector podría operar en condiciones muy distintas, imitando la capacidad de adaptación del ojo humano a distintas condiciones lumínicas, al aplicarle deformaciones de tensión o compresión.

“Esta tecnología, por ejemplo, podría tener aplicaciones futuras en el campo de la fotografía, en la adaptación de los modos diurnos y nocturnos en función de la cantidad de luz. El detector de la cámara cambiaría su respuesta para ajustarse a la luz disponible mediante una pequeña deformación mecánica controlada por el usuario”, añade la investigadora Patricia Gant.

Referencia bibliográfica:
Patricia Gant, Peng Huang, David Pérez de Lara, Dan Guo, Riccardo Frisenda, Andres Castellanos-Gomez. “A strain tunable single-layer MoS2 photodetector”. Materials Today. DOI:10.1016/j.mattod.2019.04.019

07-08-19 | SINC |

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